Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFB4115 - Características e Substituição

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Características básicas do Transistor Mosfet IRFB4115

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 150 V
• Tensão Gate-Source, Máximo: ± 20 V
• Resistência Máxima Estado Ativo Dreno-Source: 11 mΩ
• Corrente Contínua Dreno: 104 A
• Carga Total da Gate: 77 nC
• Dissipação de energia: 380 W
• Range de Temperatura da Junção de Operação: -55 à +175 °C
• Encapsulamento: TO-220AB

Datasheet completo IRFB4115

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFB4115

O transistor IRFB4115 pode ser substituídos pelos seguintes transistores: 

IRFB4115G.

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