Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFB4127PbF - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFB4127PbF

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 200 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 20 mΩ

• Corrente contínua Dreno: 76 A

• Carga Total da Gate: 150 nC

• Dissipação de energia: 375 W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C

• Encapsulamento: TO-220AB

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Informação Relevante

A diferença principal entre os transistores IRFB4127 e IRFB4127PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFB4127PbF

O transistor IRFB4127PbF pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRFB4127, IRFB4332.

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