Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFB4227PbF - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFB4227PbF

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 200 V

• Tensão Gate-Source, Máximo: ± 30 V

• Resistência Máxima Estado Ativo Dreno-Source: 24 mΩ

• Corrente Contínua Dreno: 65 A

• Carga Total da Gate: 79 nC

• Dissipação de energia: 330 W

• Range de Temperatura da Junção de Operação: -55 a +175 °C

• Encapsulamento: TO-220AB

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Informação Relevante

A diferença principal entre os transistores IRFB4227 e IRFB4227PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFB4227PbF

O transistor IRFB4227PbF pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRFB4227, AUIRFB4227, SUP90142E.

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