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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFB4310
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 100 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 7 mΩ
- Corrente contínua Dreno: 140 A
- Carga Total da Gate: 250 nC
- Dissipação de energia: 330 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
- Encapsulamento: TO-220AB
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Transistores Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos
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Módulos!Informação Relevante
A diferença principal entre os transistores IRFB4310 e IRFB4310PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as
regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico,
ambos os transistores são semelhantes.
Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFB4310
O transistor IRFB4310 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
IRFB4110, IRFB4310PbF, IRFB4110G, IRFB4310G, IRLB4030.
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