Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFB4332 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFB4332

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 250 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,033 Ω
• Corrente contínua Dreno: 60 A
• Carga Total da Gate: 99 nC
• Dissipação de energia: 390 W
• Range de temperatura da junção de operação: -40 a +175 °C
• Encapsulamento: TO-220AB

Datasheet completo IRFB4332

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFB4332

O transistor IRFB4332 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

AUIRFB4332, IRFB4332PBF, IXFP80N25X3.

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