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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFB4510
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 100 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 13,5 mΩ
- Corrente contínua Dreno: 62 A
- Carga Total da Gate: 87 nC
- Dissipação de energia: 140 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
- Encapsulamento: TO-220AB
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Transistores Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Informação Relevante
A diferença principal entre os transistores IRFB4510 e IRFB4510PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as
regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico,
ambos os transistores são semelhantes.
Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFB4510
O transistor IRFB4510 pode ser substituído pelos seguintes
transistores: IRFB4310, IRFB4110, IRFB4410PbF, IRFB4510PbF, IRFB4110G, IRFB4115, IRFB4115G, IRFB4310G, IRFB4310Z, IRFB4310ZG, IRFB4410, IRFB4410Z, IRFB4410ZG, IRFB4510G.
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