Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFB4710 - Características e Substituição

Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-IRFB4710-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Mosfet IRFB4710

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 100 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 14 mΩ

• Corrente contínua Dreno: 75 A

• Carga Total da Gate: 170 nC

• Dissipação de energia: 200 W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C

• Encapsulamento: TO-220AB

Confira a lista completa de equivalência e substituição de Transistores Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos Embarcados! Clique no link abaixo!

Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem, Módulos!

Informação Relevante

A diferença principal entre os transistores IRFB4710 e IRFB4710PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFB4710

O transistor IRFB4710 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRFB4110, IRFB4115, IRFB4310, IRFB4410, IRFB4110G, IRFB4115G, IRFB4310G, IRFB4310Z, IRFB4310ZG, IRFB4410Z, IRFB4410ZG.

Se você encontrou algum erro, por favor, nos avise através do campo de mensagem abaixo!

Se inscreva no nosso Blog! Clique Aqui — FVM Learning!

Forte abraço!

Deus vos Abençoe!

Shalom.