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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFB52N15D
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 150 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 32 mΩ
- Corrente contínua Dreno: 60 A
- Carga Total da Gate: 60 nC
- Dissipação de energia: 320 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
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Encapsulamento: TO-220AB
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Transistores Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFB52N15D
O transistor IRFB52N15D pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
IRFB4321, IRFB4321G, IRFB61N15D.
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