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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFB5620
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 200 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 72,5 mΩ
- Corrente contínua Dreno: 25 A
- Carga Total da Gate: 38 nC
- Dissipação de energia: 144 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
- Encapsulamento: TO-220AB
Confira a lista completa de equivalência e substituição de
Transistores Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFB5620
O transistor IRFB5620 pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
IRFB260N, IRFB4127, IRFB4227, IRFB4332, IRFB5620PbF, 2SK3594‑01, IRFB38N20D, IRFB4229, IRFB4233, IRFB42N20D, IRFB4620.
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