Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFB5620PbF - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFB5620PbF

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 200 V

• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 72,5 mΩ

• Corrente contínua Dreno: 25 A

• Carga Total da Gate: 38 nC

• Dissipação de energia: 144 W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C

• Encapsulamento: TO-220AB

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFB5620PbF

O transistor IRFB5620PbF pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRFB260N, IRFB4127, IRFB4227, IRFB4332, IRFB5620, 2SK3594‑01, IRFB38N20D, IRFB4229, IRFB4233, IRFB42N20D, IRFB4620.

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