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segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFP4229 - Características e Substituição

Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-IRFP4229-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Mosfet IRFP4229

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 250 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 46 m
  • Corrente contínua Dreno: 44 A
  • Carga Total da Gate: 110 nC
  • Dissipação de energia: 310 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -40 a +175 °C
  • Encapsulamento: TO-247AC

Datasheet completo: IRFP4229

    Informação Relevante

    A diferença principal entre os transistores IRFP4229 e IRFP4229PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.

    Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFP4229

    O transistor IRFP4229 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

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    Forte abraço!
    Deus vos Abençoe!
    Shalom.

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