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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFP4229
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 250 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 46 mΩ
- Corrente contínua Dreno: 44 A
- Carga Total da Gate: 110 nC
- Dissipação de energia: 310 W
- Range de temperatura da junção de operação: -40 a +175 °C
- Encapsulamento: TO-247AC
Datasheet completo: IRFP4229
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem, Módulos!Informação Relevante
A diferença principal entre os transistores IRFP4229 e IRFP4229PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.
Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFP4229
O transistor IRFP4229 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
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