Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFP4229PBF - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFP4229PBF

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 250 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 46 mΩ
• Corrente contínua Dreno: 44 A
• Carga Total da Gate: 110 nC
• Dissipação de energia: 310 W
• Range de temperatura da junção de operação: -40 a +175 °C
• Encapsulamento: TO-247AC

Datasheet completo: IRFP4229PBF

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Informação Relevante

A diferença principal entre os transistores IRFP4229 e IRFP4229PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFP4229PBF

O transistor IRFP4229PBF pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRFP4229, IRFP4332, IRFP4332PbF.

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