Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFP450 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFP450

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 500 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,33Ω
• Corrente contínua Dreno: 14 A
• Carga Total da Gate: 75 nC
• Dissipação de energia: 190 W
• Range de temperatura da junção de operação: -65 a +150 °C
• Encapsulamento: TO-247

Datasheet completo: IRFP450

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFP450

O transistor IRFP450 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

20N60, 20N65, 2SK3338W, 2SK3339W, 2SK3339-01.

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