Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFP4868 - Características e Substituição

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Características básicas do Transistor Mosfet IRFP4868

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 300 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 32mΩ
• Corrente contínua Dreno: 70 A
• Carga Total da Gate: 180 nC
• Dissipação de energia: 517 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 à +175 °C
• Encapsulamento: TO-247AC
  
  

Datasheet completo: IRFP4868

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFP4868

O transistor IRFP4868 pode ser substituídos pelos seguintes transistores: 

IRF300P226, IRFP4868PBF.

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