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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFPE30
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source (VDSS): 800 V
- Tensão Gate-Source, máximo (VGS): ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source (RDS(on)): 3 Ω
- Corrente contínua Dreno (ID): 4.1 A
- Carga Total da Gate (Qg): 78 nC
- Dissipação de energia (PD): 125 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
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Encapsulamento: TO-247AC
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFPE30
O transistor IRFPE30 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
IRFPE30PbF, IRFPE42, IRFPE52, 2SK3337W, 2SK3341W.
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