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Características Básicas do Transistor Mosfet SMD 2N7001 (701)
- Marcação SMD: 701
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source (VDSS): 240 V
- Tensão Gate-Source, máximo (VGS): ± 40 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source (RDS(on)): 45 Ω
- Corrente contínua Dreno (ID): 45 mA
- Dissipação de energia (PD): 200 mW
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
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Encapsulamento: TO-236 (SOT-23)
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Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2N7001 (701)
O transistor Mosfet 2N7001 (701) pode ser substituído pelos seguintes transistores:
2N7227JV,
2N7227JX, BSS131, BSS139, DN3135, ME2326A, ME2326A‑G, WMC1N40D1.
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