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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF9610
- Tipo: Canal-P
- Tensão de ruptura Dreno-Source: -200 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 3 Ω
- Corrente contínua Dreno: -1,8 A
- Carga Total da Gate: 11 nC
- Dissipação de energia: 20 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
- Encapsulamento: TO-220AB
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Par Complementar do Transistor MOSFET:
O transistor Canal-P IRF9610 é complementar do transistor Canal-N IRF610Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF9610
O transistor Mosfet IRF9610 pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
MTP5P20, MTP5P25, MTP8P25.
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