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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF9Z34
- Tipo: Canal-P
- Tensão de ruptura Dreno-Source: -60 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,14 Ω
- Corrente contínua Dreno: -18 A
- Carga Total da Gate: 34 nC
- Dissipação de energia: 88 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
- Encapsulamento: TO-220AB
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Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF9Z34
O transistor MOSFETs IRF9Z34 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
30P10A, AP9591GP, BR50P06, 25P06.
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