Datasheet Pinagem - Transistor Bipolar NPN 2SC6011A-P - Características e Substituição

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Características Básica do Transistor Bipolar NPN 2SC6011A-P

• Tipo: NPN

• Tensão Coletor-Emissor (V_CEO): 230 V

• Tensão Base-Coletor (V_CBO): 230 V

• Tensão Base-Emissor (V_EBO): 6 V

• Corrente do Coletor (I_C): 15 A

• Dissipação do coletor (P_D): 160 W

• Ganho de corrente CC (hfe): 70 a 140

• Frequência de transição (F_T): 20 MHz

• Faixa de temperatura de junção de operação e armazenamento -55 a +150 °C

• Encapsulamento:

  TO-3P

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Classificação do hFE

O intervalo de ganho de corrente dos transistores varia conforme a letra sinalizada no final da descrição do transistor no seu encapsulamento. A classificação do intervalo CC (hfe) do transistor 2SC6011A, estará entre: 

• 2SC6011A-O:  50 ~ 100
• 2SC6011A-P:  70 ~ 140
• 2SC6011A-Y:  90 ~ 180

Par Complementar do Transistor:

O transistor NPN 2SC6011A-P é complementar ao transistor PNP 2SA2151A-P.

Substitutos e Equivalentes para o Transistor NPN 2SC6011A-P

O transistor 2SC6011A-P pode ser substituído pelos seguintes transistores:

2SC5359-O, 2SC5359-R, 2SC6011A-O, 2SC6011A-Y, MG6330, MG6330‑R, MG6331, MG6331-R, TIPL777B.

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