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Características Básicas do Transistor Bipolar FJP5200R
- Tipo: NPN
- Tensão Coletor-Emissor: 230 V
- Tensão Coletor-Base: 230 V
- Tensão Emissor-Base: 5 V
- Corrente-Coletor: 15 A
- Dissipação de Coletor: 100 W
- Ganho de Corrente CC (hfe): 55 a 110
- Frequência de transição: 30 MHz
- Range de temperatura da junção de operação: -50 a +150 °C
-
Encapsulamento: TO-220
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Classificação hFE
O intervalo de ganho de corrente dos transistores varia
conforme a letra sinalizada no final da descrição do transistor
no seu encapsulamento. A classificação do intervalo CC (hfe) do
transistor FJP5200 estará entre:
Par Complementar do Transistor:
O Transistor NPN FJP5200R é complementar do transistor PNP FJP1943RSubstitutos e Equivalentes para o Transistor FJP5200R
O transistor FJP5200R pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
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