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Características Básicas do Transistor Bipolar NTE123
- Tipo: NPN
- Tensão Coletor-Emissor: 40 V
- Tensão Coletor-Base: 75 V
- Tensão Emissor-Base: 6 V
- Corrente-Coletor: 800 mA
- Dissipação de Coletor: 800 mW
- Ganho de Corrente CC (hfe): 100 a 300
- Range de temperatura da junção de operação: -65 a +200 °C
- Frequência de Transição Mínima: 300 MHz
- Encapsulamento: TO-39
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Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor NTE123
O transistor NTE123
pode ser substituído pelos seguintes transistores:
2N2219A, 2N3019, 2N3107, 2N3109, 2N4032, 2N4033.
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