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Características Básicas do Transistor Bipolar NTE128
- Tipo: NPN
- Tensão Coletor-Emissor: 80 V
- Tensão Coletor-Base: 140 V
- Tensão Emissor-Base: 7 V
- Corrente-Coletor: 1 A
- Dissipação de Coletor: 800 mW
- Ganho de Corrente CC (hfe): 100 a 300
- Range de temperatura da junção de operação: -65 a +200 °C
- Frequência de Transição Mínima: 400 MHz
- Encapsulamento: TO-39
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O transistor NTE128 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
NTE128.
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Deus vos Abençoe!
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