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Características Básicas do Transistor Bipolar MMBT5179
- Marcação SMD: 3C
- Tipo: NPN
- Tensão Coletor-Emissor: 12 V
- Tensão Coletor-Base: 20 V
- Tensão Emissor-Base: 2,5 V
- Corrente-Coletor: 40 mA
- Dissipação de Coletor: 225 mW
- Ganho de Corrente CC (hfe): 25 a 300
- Frequência de transição: 2 GHz
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
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Encapsulamento: TO-236 (SOT-23)
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor MMBT5179
O transistor MMBT5179 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
BCW32L1G, BCW33LT1, BCX19L.
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