Datasheet Pinagem - Transistor PNP 2SA1009 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Bipolar 2SA1009

• Tipo: PNP
• Tensão Coletor-Emissor: -350 V
• Tensão Coletor-Base: -350 V
• Tensão Emissor-Base: -7 V
• Corrente-Coletor: -2 A
• Dissipação de Coletor: 15 W
• Ganho de Corrente CC (h_fe): 20 a 200
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
• Encapsulamento: TO-220C
  
  

Datasheet Completo: 2SA1009

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Classificação hFE

O intervalo de ganho de corrente dos transistores varia conforme a letra sinalizada no final da descrição do transistor no seu encapsulamento. O intervalo da classificação CC (hfe) do transistor 2SA1009 estará entre:

• 2SA1009-M: 20 ~ 40
• 2SA1009-L:  30 ~ 60
• 2SA1009-K: 40 ~ 80
• 2SA1009-J: 60 ~ 120
• 2SA1009-H: 100 ~ 200

Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2SA1009

O transistor 2SA1009 pode ser substituído pelos seguintes transistores:

2SA1009A, MJE5851, MJE5851G, MJE5852, MJE5852G.

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