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Características Básicas do Transistor Bipolar 2SA1009A
- Tipo: PNP
- Tensão Coletor-Emissor: -400 V
- Tensão Coletor-Base: -400 V
- Tensão Emissor-Base: -7 V
- Corrente-Coletor: -2 A
- Dissipação de Coletor: 15 W
- Ganho de Corrente CC (hfe): 20 a 200
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
-
Encapsulamento: TO-220C
Confira a lista completa de equivalência e substituição de Transistores
Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos Embarcados! Clique no
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Classificação hFE
O intervalo de ganho de corrente dos transistores varia conforme a
letra sinalizada no final da descrição do transistor no seu
encapsulamento. O intervalo da classificação CC (hfe) do
transistor 2SA1009A estará entre:
- 2SA1009A-M: 20 ~ 40
- 2SA1009A-L: 30 ~ 60
- 2SA1009A-K: 40 ~ 80
- 2SA1009A-J: 60 ~ 120
- 2SA1009A-H: 100 ~ 200
Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2SA1009A
O transistor 2SA1009A pode ser substituído pelos seguintes transistores:
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