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Características Básicas do Transistor Bipolar BD750C
- Tipo: PNP
- Tensão Coletor-Emissor: -140 V
- Tensão Coletor-Base: -140 V
- Tensão Emissor-Base: -5 V
- Corrente-Coletor: -20 A
- Dissipação de Coletor: 250 W
- Ganho de Corrente CC (hfe): 25 a 150
- Frequência de transição: 4 Mhz
- Range de temperatura da junção de operação: -65 a +200 °C
-
Encapsulamento: TO-3
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Módulos!Par Complementar do Transistor:
Substitutos e Equivalentes para o Transistor BD750C
O transistor BD750C pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
MJ15004G.
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