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Características Básicas do Transistor Bipolar BD910
- Tipo: PNP
- Tensão Coletor-Emissor: -80 V
- Tensão Coletor-Base: -80 V
- Tensão Emissor-Base: -5 V
- Corrente-Coletor: -15 A
- Dissipação de Coletor: 90 W
- Ganho de Corrente CC (hfe): 15 a 150
- Frequência de Transição: 3 Mhz
- Range de temperatura da junção de operação: -65 a +150 °C
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Encapsulamento: TO-220
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Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos Embarcados! Clique no
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Par complementar:
O transistor PNP BD910 é complementar do transistor NPN BD909
Substitutos e Equivalentes para o Transistor BD910
O transistor BD910 pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
BD912, BD744C, BD744D, BD744E, BD744F.
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