Datasheet Pinagem - Transistor Bipolar PNP NTE159M - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Bipolar NTE159M 

• Tipo: PNP
• Tensão Coletor-Emissor: -60 V
• Tensão Coletor-Base: -60 V
• Tensão Emissor-Base: -5 V
• Corrente-Coletor: -600 mA
• Dissipação de Coletor: 400 mW
• Ganho de Corrente DC (h_fe): 100 a 300
• Frequência de Transição: 200 MHz
• Range de temperatura da junção de operação: -65 à +200 °C
• Encapsulamento: TO-18
  
  

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Par Complementar do Transistor:

O transistor PNP NTE159M é complementar do transistor NPN NTE123A

Substitutos e Equivalentes para o Transistor NTE159M

O transistor NTE159M pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

2N2906A, 2N2907A.

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