Datasheet Pinagem - Transistor Bipolar PNP SMD BC856B (3B) - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Bipolar SMD BC856B (3B)

• Marcação SMD: 3B
• Tipo: PNP
• Tensão Coletor-Emissor: -65 V
• Tensão Coletor-Base: -80 V
• Tensão Emissor-Base: -5 V
• Corrente-Coletor: 100 mA
• Dissipação de Coletor: 200 mW
• Ganho de Corrente CC (h_fe): 220 a 475
• Frequência de transição: 100 MHz
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
• Encapsulamento: TO-236 (SOT-23)
  
  

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Classificação do hFE

O intervalo de ganho de corrente dos transistores varia conforme a letra sinalizada no final da descrição do transistor no seu encapsulamento. O intervalo da classificação CC (hfe) do transistor BC856 estará entre:

• BC856A: 125 a 250
• BC856B: 220 a 475

Substitutos e Equivalentes para o Transistor BC856A

O transistor BC856B pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

2SA1727, 2SA1812, BC856BLT1.

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