Datasheet Pinagem - Transistor Bipolar PNP SMD BC857A (3E) - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Bipolar SMD BC857A (3E)

• Marcação SMD: 3E
• Tipo: PNP
• Tensão Coletor-Emissor: -45 V
• Tensão Coletor-Base: -50 V
• Tensão Emissor-Base: -5 V
• Corrente-Coletor: 100 mA
• Dissipação de Coletor: 200 mW
• Ganho de Corrente CC (h_fe): 125 a 250
• Frequência de transição: 100 MHz
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
• Encapsulamento: TO-236 (SOT-23)
  
  

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Classificação do hFE

O intervalo de ganho de corrente dos transistores varia conforme a letra sinalizada no final da descrição do transistor no seu encapsulamento. O intervalo da classificação CC (hfe) do transistor BC857 estará entre:

• BC857A: 125 a 250
• BC857B: 220 a 475
• BC857C: 420 a 800

Substitutos e Equivalentes para o Transistor BC857A

O transistor BC857A pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

BC856A, 2SA1655, 2SA1687, 2SA1722, 2SA1727, BCW70L.

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