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Características Básicas do Transistor Bipolar SMD BC857C (3G)
- Marcação SMD: 3G
- Tipo: PNP
- Tensão Coletor-Emissor: -45 V
- Tensão Coletor-Base: -50 V
- Tensão Emissor-Base: -5 V
- Corrente-Coletor: 100 mA
- Dissipação de Coletor: 200 mW
- Ganho de Corrente CC (hfe): 420 a 800
- Frequência de transição: 100 MHz
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
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Encapsulamento: TO-236 (SOT-23)
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Classificação do hFE
O intervalo de ganho de corrente dos transistores varia conforme a letra sinalizada no final da descrição do transistor no seu encapsulamento. O intervalo da classificação CC (hfe) do transistor BC857 estará entre:
Substitutos e Equivalentes para o Transistor BC857C
O transistor BC857C pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
BC857CLT1, BRY61, KTB1234T.
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