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Características Básicas do Transistor Bipolar SMD BC858A (3J)
- Marcação SMD: 3J
- Tipo: PNP
- Tensão Coletor-Emissor: -30 V
- Tensão Coletor-Base: -30 V
- Tensão Emissor-Base: -5 V
- Corrente-Coletor: 100 mA
- Dissipação de Coletor: 200 mW
- Ganho de Corrente CC (hfe): 125 a 250
- Frequência de transição: 100 MHz
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
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Encapsulamento: TO-236 (SOT-23)
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Classificação do hFE
O intervalo de ganho de corrente dos transistores varia conforme a letra sinalizada no final da descrição do transistor no seu encapsulamento. O intervalo da classificação CC (hfe) do transistor BC858 estará entre:
Substitutos e Equivalentes para o Transistor BC858A
O transistor BC858A pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
BC856A, BC857A, 2SA1655, 2SA1687, 2SA1722, 2SB1051, 2SB1053, 2SA1727, BC859A, BC860A, BCW30L, BCW70L.
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