FVM Learning

Nosso maior compromisso é compartilhar conhecimentos, somos simples, mas não simplórios, astuto, mas não pacóvio, nos posicionamos empenhados em mostrar o caminho para desmistificação do opróbrio em legítima defesa do conhecimento compartilhado. Eng. Jemerson Marques!

segunda-feira, 10 de dezembro de 2018

Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFP1405 - Características e Substituição

Datasheet-Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-IRFP1405-Características-Substituição-fvml
Pinagem-Pinout-Transistor-Mosfet-Canal-N-IRFP1405-Características-Substituição

Características Básicas do Transistor Mosfet IRFP1405

  • Tipo: Canal-N
  • Tensão de ruptura Dreno-Source: 55 V
  • Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
  • Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 5,3 m
  • Corrente contínua Dreno: 160 A
  • Carga Total da Gate: 180 nC
  • Dissipação de energia: 310 W
  • Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
  • Encapsulamento: TO-247AC


Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFP1405

O transistor IRFP1405 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 
IRFP2907, IRFP2907Z, IRFP3077, IRFP4110, IRFP4368, IRFP4468.

Se você encontrou algum erro, por favor, nos avise através do campo de mensagem abaixo!

Se inscreva no nosso BlogClique Aqui — FVM Learning!

Forte abraço!
Deus vos Abençoe!
Shalom.

Nenhum comentário:

Postar um comentário