Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF830 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF830

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source (V_DSS): 500 V

• Tensão Gate-Source, máximo (V_GS): ± 20 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source (R_DS(on)): 1,5 Ω

• Corrente contínua Dreno (I_D): 4,5 A

• Carga Total da Gate (Q_g): 30 nC

• Dissipação de energia (P_D): 75 W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C

• Encapsulamento: TO-220AB

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF830

O transistor IRF830 pode ser substituído pelos seguintes transistores:

IRF840, MTP4N50, 7N65, 8N60, 9N65, 10N60, 10N65, 2SK1563, 2SK1709, 2SK3456, 2SK3519‑01, 2SK3887‑01, 2SK894, BUK455-500B, BUZ41A, BUZ42, IRF734, IRF832, IRFI830G, BUZ215, RFP6N45, RFP6N50, SSP6N55­­­.

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