Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFZ48N - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFZ48N

• Tipo: Canal-N
• Tensão de Ruptura Dreno-Source (V_DSS): 55 V
• Tensão Gate-Source, máximo (V_GS): ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source (R_DS(on)): 0,016Ω ou 16mΩ
• Corrente contínua Dreno (I_D): 64 A
• Carga Total da Gate (Q_g): 85 nC
• Dissipação de energia  (P_D): 140 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
• Encapsulamento: TO-220AB
  
  

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFZ48N

O transistor IRFZ48N pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

80N06, 50N06, 60N06, IRLZ44N, IRF1010E, IRF1018E, IRF1010N, NDP7061, RFP70N06, SUP70N06-14, BUK7514-55, BUK9514-55, BUZ100S, BUZ100SL, BUZ110SL, IRF1010, MTP52N06V, MTP52N06VL, MTP55N06Z, NDP7061, RFP70N06, SMP50N06-25, SMP60N06-18, STP53N06, SUP70N06-14.

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