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Características Básicas do Transistor Bipolar 2N6609
- Tipo: PNP
- Tensão Coletor-Emissor: -140V
- Tensão Coletor-Base: -160V
- Tensão Emissor-Base: -7V
- Corrente-Coletor: 16A
- Dissipação de Coletor: 150W
- Ganho de Corrente CC (hfe): 15 a 60
- Frequência de Transição Mínima: 4 MHz
- Range de temperatura da junção de operação: -65 a +200 °C
- Encapsulamento: TO-3
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Par Complementar do Transistor:
O transistor PNP 2N6609 é complementar do transistor NPN 2N3773Substitutos e Equivalentes para o Transistor 2N6609
O transistor 2N6609 pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
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