Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N BUZ11 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet BUZ11

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 50 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,04 Ohm
• Corrente contínua Dreno: 30A
• Dissipação de energia: 90 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
• Encapsulamento: TO-220AB
  
  

Datasheet Completo: BUZ11

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor BUZ11

O transistor Mosfet BUZ11 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRFZ34, IRFZ44, IRLZ34N, BUZ11A, BUZ11AL, BUZ11FI, BUZ11S2, MTP36N06V, IRLZ24N, IRLZ34, STP32N06L, STP36N06, MTP30N06EL, RFP23N06LE, STP32N05L, BUK555-60A, AUIRFZ34N.

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