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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF740
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 400 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,55 Ohm
- Corrente contínua Dreno: 10 A
- Carga Total da Gate: 63 nC
- Dissipação de energia: 125 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
- Encapsulamento: TO-220
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF740
O transistor IRF740 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
IRF740A, IRFB13N50A, IRF740LC, IRF740S, IRFB17N50L, 2SK1400A, BUK457-400B, BUZ61A,
MTP10N40E, RFP7N35, RFP7NA40.
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