Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF530 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF530

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source (V_DSS): 100 V
• Tensão Gate-Source, máximo (V_GS): ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source (R_DS(on)): 0,16 Ω
• Corrente contínua Dreno (I_D): 14 A
• Carga Total da Gate (Q_g): 30 nC
• Dissipação de energia (P_D): 79 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
• Encapsulamento: TO-220

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Par Complementar do Transistor MOSFET: 

O transistor Mosfet IRF530 e complementar do transistor PNP IRF9530

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF530

O transistor IRF530 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRF540, IRF540PBF, 2SK2314.

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