Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF540 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF540

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source (V_DSS): 100 V
• Tensão Gate-Source, máximo (V_GS): ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source (R_DS(on)): 0,077 Ω ou 77 MΩ
• Corrente contínua Dreno (I_D): 28 A
• Carga Total da Gate (Q_g): 72 nC
• Dissipação de energia (P_D): 150 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
• Encapsulamento: TO-220AB

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Informação Relevante

A diferença principal entre os transistores IRF540 e IRF540PbF reside na terminação "PbF". O sufixo "PbF" indica que o transistor é livre de chumbo, conforme as regulamentações ambientais. Em termos de desempenho elétrico, ambos os transistores são semelhantes.

Par Complementar do Transistor MOSFET: 

O transistor Mosfet Canal-N IRF540 é complementar do transistor Canal-P IRF9540

Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF540

O transistor IRF540 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

BUZ21, IRF540PbF, IRFI540G, IRFS540, 2SK1928, 2SK2314, 2SK2466, 2SK2391, 2SK2466, BUK445-100A, BUK455-100A, BUK551-100A, BUK555-100A, MTP27N10E, RFP22N10, 2SK2789.

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