Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N CS90N20D - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet CS90N20D

• Tipo: Canal-N

• Tensão de ruptura Dreno-Source: 200 V

• Tensão Gate-Source, máxima: ± 30 V

• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 23mΩ

• Corrente contínua Dreno: 94 A

• Carga Total da Gate: 180 nC

• Dissipação de energia: 580 W

• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C

• Encapsulamento: TO-247AC

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor CS90N20D

O transistor CS90N20D pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRFP90N20D.

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Deus vos Abençoe!

Shalom.