Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF1010E - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF1010E

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 60 V
• Tensão Gate-Source, Máximo: ± 20 V
• Resistência Máxima Estado Ativo Dreno-Source: 12mΩ
• Corrente Contínua Dreno: 84A
• Carga Total da Gate: 130 nC
• Dissipação de energia: 200 W
• Range de Temperatura da Junção de Operação: -55 a +175 °C
• Encapsulamento: TO-220AB

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF1010E

O transistor IRF1010E pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

IRF1407, IRF1607, IRF2807Z, IRF2907Z, IRF2907ZPbF, IRF3808, IRFB3077, IRFB3077GPBF, IRFP3077PBF, IRFB3207, IRFB4110, IRFB4115, IRFB4310, IRFB4410, IRFB3006, IRFB3006G, IRFB3206, IRFB3206G, IRFB3207, IRFB3207Z, IRFB3207ZG, IRFB3256, IRFB3306, IRFB3306G, IRFB3307, IRFB3307Z, IRFB3307ZG, IRFB4110G, IRFB4115G, IRFB4310G, IRFB4310Z, IRFB4310ZG, IRFB4410Z, IRFB4410ZG.

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