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Características básicas do Transistor Mosfet IRF1607
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 75 V
- Tensão Gate-Source, Máximo: ± 20 V
- Resistência Máxima Estado Ativo Dreno-Source: 7,5mΩ
- Corrente Contínua Dreno: 142 A
- Carga Total da Gate: 210 nC
- Dissipação de energia: 380 W
- Range de Temperatura da Junção de Operação: -55 à +175 °C
- Encapsulamento: TO-220AB
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem, Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF1607
O transistor IRF1407 pode ser substituídos pelos seguintes transistores:
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