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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF2807Z
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 75 V
- Tensão Gate-Source, Máximo: ± 20 V
- Resistência Máxima Estado Ativo Dreno-Source: 9,4mΩ
- Corrente Contínua Dreno: 75 A
- Carga Total da Gate: 110 nC
- Dissipação de energia: 170 W
- Range de Temperatura da Junção de Operação: -55 a +175 °C
- Encapsulamento: TO-220AB
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF2807Z
O transistor IRF2807Z pode ser substituído pelos seguintes transistores:
IRF1407, IRF1607, IRF2907Z, IRF2907ZPbF, IRF3808, IRFB3077, IRFB3077GPBF, IRFP3077PBF, IRFB3207, IRFB4110, IRFB4310, IRFB4410, IRFB3207Z, IRFB3207ZG,
IRFB3307, IRFB3307Z, IRFB4110G, IRFB4310G, IRFB4310Z, IRFB4310ZG,
IRFB4410Z, IRFB4410ZG.
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