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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF520
- Tipo: Canal-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source: 100 V
- Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,27 Ω
- Corrente contínua Dreno: 9,2 A
- Carga Total da Gate: 16 nC
- Dissipação de energia: 60 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
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Encapsulamento: TO-220AB
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Transistores Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos
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Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF520
O transistor IRF520 pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
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