Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRF630 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF630

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 200 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 0,4 Ω
• Corrente contínua Dreno: 9 A
• Carga Total da Gate: 45 nC
• Dissipação de energia: 75 W
• Range de temperatura da junção de operação: -65 a +150 °C
• Encapsulamento: TO-220AB
  
  

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF630

O transistor IRF630 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

11N50, BUK456-200A, IRF640, IRF640PBF, IRF644, IRFB17N50L.

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