Datasheet Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N IRFP90N20D - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet IRFP90N20D

• Tipo: Canal-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 200 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 30 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 23mΩ
• Corrente contínua Dreno: 94 A
• Carga Total da Gate: 180 nC
• Dissipação de energia: 580 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
• Encapsulamento: TO-247AC
  
  

Datasheet completo: IRFP90N20D

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRFP90N20D

O transistor IRFP90N20D pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

CS90N20D.

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