Datasheet - Pinagem - Transistor Mosfet Canal-N P60NF06 - Características e Substituição

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Características Básicas do Transistor Mosfet P60NF06

• Tipo: Tipo-N
• Tensão de ruptura Dreno-Source: 60 V
• Tensão Gate-Source, máximo: ± 20 V
• Resistência máxima estado ativo Dreno-Source: 11 mΩ
• Corrente contínua Dreno: 60 A
• Carga Total da Gate: 47 nC
• Dissipação de energia: 136 W
• Range de temperatura da junção de operação: -55 a +175 °C
• Encapsulamento: TO-220AB
  
  

Datasheet completo: P60NF06

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Substitutos e Equivalentes para o Transistor P60NF06

O transistor P60NF06 pode ser substituído pelos seguintes transistores: 

80N08, KF80N08P, VBM1615.

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