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Características Básicas do Transistor Bipolar BD130
- Tipo: NPN
- Tensão Coletor-Emissor: 60 V
- Tensão Coletor-Base: 100 V
- Tensão Emissor-Base: 7 V
- Corrente-Coletor: 15 A
- Dissipação de Coletor: 100 W
- Ganho de Corrente CC (hfe): 20 a 70
- Frequência de Transição: 1 MHz
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +200 °C
-
Encapsulamento: TO-3
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Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor BD130
O transistor BD130 pode ser substituído pelos seguintes transistores:
2N3055, 2N3055A, 2N5039, MJ15015, NTE130, 2N3055AG, 2N3055G, 2N3055H, 2N5630, 2N5671, 2N5672, 2N5881, 2N5882, 2N5885, 2N5885G, 2N5886, 2N5886G,
2N6471, 2N6472, BD182, BD183, KD502, KD503, MJ14000, MJ14000G, MJ14002,
MJ14002G, MJ15015G.
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