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Características Básicas do Transistor Mosfet IRF840
- Tipo: Tipo-N
- Tensão de ruptura Dreno-Source (VDSS): 500 V
- Tensão Gate-Source, máximo (VGS): ± 20 V
- Resistência máxima estado ativo Dreno-Source (RDS(on)): 0,85 Ω
- Corrente contínua Dreno (ID): 8 A
- Carga Total da Gate (Qg): 60 nC
- Dissipação de energia (PD): 125 W
- Range de temperatura da junção de operação: -55 a +150 °C
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Encapsulamento: TO-220AB
Confira a lista completa de equivalência e substituição de Transistores
Bipolar, Mosfets, Diodo Zener e Pinagem de Módulos Embarcados! Clique no
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Substituição de Transistores, Mosfet, Diodo, Datasheet, Pinagem,
Módulos!Substitutos e Equivalentes para o Transistor IRF840
O transistor IRF840 pode ser substituído pelos seguintes
transistores:
10N65, 12N65, 13N50, IRF840A, IRFB9N60A, IRFB9N60APbF, IRFB13N50A, IRF744, IRF840G, IRF840LC, IRFS841, IRFB17N50L, IRFS840, STP8NA50,
2SK554, 2SK1158, 2SK1566, 2SK1567, 2SK1805, 2SK2116, 2SK2117, 2SK2118,
2SK2175, YTA840.
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